Глобальные новости»Быструю флешку на основе мультиграфена создали в Новосибирске

Быструю флешку на основе мультиграфена создали в Новосибирске

29.08.2016

Применение нескольких слоев графена (мультиграфена) во флеш-памяти изучает вуз физики полупроводников Сибирского отделения РАН.

При создании свежей флешки применяется материал мультиграфен, слой которого «зажимается» между 2-мя иными слоями: туннельного и блокирующего. 1-ый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. В отличие от кремниевой флеш-карты графеновая способна работать в два-три раза быстрее.

Принцип действия флеш-памяти основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в качестве которой выступает мультиграфен. Как передает krasnews.com, Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене).

Как показали опыты, мультиграфен дольше сохраняет электрический заряд, тем самым возрастает время хранения информации и скорость работы устройства в сравнении с флешками с традиционным кремнием в основе. Для коммерческого использования требуется завод с современными разработками стоимостью около $5 млрд, сообщил старший научный сотрудник Института Юрий Новиков.

Автор: krasnews.com
  • Голосовать:
  • 0
Нет комментариев
  • Добавьте комментарий первым!
Добавить комментарий
Войти через соцсеть
или